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dc.creatorHernández,Leobardo
dc.creatorArzate,Guillermo
dc.creatorBrito,Zabdiel
dc.creatorRodríguez,Marco
dc.date2010-01-01
dc.date.accessioned2019-04-24T21:27:38Z
dc.date.available2019-04-24T21:27:38Z
dc.identifierhttps://scielo.conicyt.cl/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0718-07642010000500007
dc.identifier.urihttp://revistaschilenas.uchile.cl/handle/2250/58360
dc.descriptionEste artículo presenta una propuesta de modelado y simulación del diodo PiN en Carburo de Silicio. La propuesta principal de modelado soluciona la ecuación de difusión ambipolar a partir de una aproximación empírica. Mediante la metodología utilizada se obtiene un conjunto de ecuaciones diferenciales que modelan los principales fenómenos físicos asociados al dispositivo semiconductor de potencia. Las ecuaciones implementadas en Pspice modelan en una forma más real el comportamiento de la dinámica de cargas en la región N- de un diodo PiN en Carburo de Silicio para las fases estáticas y dinámicas. Para la comprobación y validación del modelo desarrollado, se compararon los resultados de simulación con datos experimentales reportados en la literatura, obteniéndose resultados adecuados para aplicaciones de electrónica de potencia.
dc.formattext/html
dc.languagees
dc.publisherCentro de Información Tecnológica
dc.relation10.4067/S0718-07642010000500007
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.sourceInformación tecnológica v.21 n.5 2010
dc.subjectsimulación
dc.subjectmodelado
dc.subjectdiodo-PiN
dc.subjectcarburo de silicio
dc.titleSimulación Estática y Dinámica de un Modelo Físico del Diodo PiN en Carburo de Silicio


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